为加快我市第三代半导体新兴产业发展，培育芯动能，促进半导体技术和应用的交流与合作，共同打造关键材料、封测、器件、装备及应用全产业链，扩大宁波产业推广力度。5月13日下午，第十二届中国（宁波）国际半导体照明论坛暨2021中国（宁波）第三代半导体产业发展论坛在宁波国际会展中心行政B楼203会议室成功举行。
本次论坛由宁波市人民政府指导，宁波市经济和信息化局、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，宁波电子行业协会、宁波半导体照明产学研技术创新战略联盟、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司和宁波高盛国际展览有限公司联合承办。
宁波市人民政府副市长陈炳荣，中国科学院院士杨德仁，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，宁波市经济和信息化局总工程师王川，宁波电子信息集团总裁、董事长、宁波电子行业协会会长李凌，中国科学院宁波材料技术与工程研究所所长黄政仁，第三代半导体产业技术创新战略联盟长三角协同创新委员会主任徐禄平，第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山，宁波市科学技术局局长费小琛，宁波电子行业协会专家委主任、宁波半导体照明产学研技术创新战略联盟秘书长任奉波，宁波电子行业协会副会长干新德、秘书长顾朝辉及宁波市各区主管部门代表，以及来自全国第三代半导体产业知名专家、企业代表共计220余人参加论坛。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长冯亚
主持会议宁波市副市长陈炳荣在致辞中表示，宁波市委、市政府高度重视集成电路及其关键材料产业的培育发展，经过多年的努力，已初步形成了涵盖半导体基础材料、集成电路设计、制造、封装测试、行业应用的全产业链条，构建了以芯港小镇、集成电路创新产业园等为支撑的“一园三基地”产业发展格局，引进培育了中科院宁波材料所为代表的一批重大创新载体，获批建设浙江省新材料实验室，涌现出了宁波中芯国际、金瑞泓、江丰电子、南大光电、康强电子等一批优质企业，在集成电路材料领域形成了明显的区域优势。去年，全市集成电路产业完成产值312亿元，同比增长12.3%。
他指出，为全力推进集成电路及其关键材料领域“卡脖子”技术攻关，努力为全国、全省大局多做贡献，我市正聚焦产业基础高级化和产业链现代化，加快打造以特色工艺集成电路为代表的十大标志性产业链，大力发展第三代半导体以及IGBT、模拟及数模混合电路、MEMS等集成电路特色工艺，加快突破关键核心技术，力争在5G、物联网、工业互联网、新一代人工智能等新兴应用领域形成新动能，夯实集成电路材料产业国内优势地位，致力于打造具有国际竞争力的特色工艺集成电路产业基地。
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞中表示，半导体照明是我国第三代半导体材料在光电子领域的成功产业化的第一个突破口，经过多年的努力，我国已成为全球＊大的半导体照明产品生产和出口地。半导体照明技术虽然日趋成熟，开始向高附加值领域不断扩展，相比前两代半导体材料，第三代半导体材料有明显性能优势，正在成为抢占下一代信息技术，节能减排技术及国防安全技术的战略制高点。当前我国正处在第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期，国家也高度重视并通过一系列举措加速产业发展。
中国科学院院士杨德仁，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，第三代半导体产业技术创新战略联盟长三角协同创新委员会主任徐禄平及宁波市经济和信息化局总工程师王川围绕新形势下，新兴半导体产业发展机遇与建议进行精彩分享和深入探讨。CASA副秘书长冯亚东主持高层对话环节。
杨德仁院士表示，当前无论是国家、科研人员还是地方政府都高度重视第三代半导体材料或者宽禁带半导体材料的制备和研究，也取得了一定的成绩。从早期半导体照明产业积累了一批优秀的从材料到器件氮化镓材料团队，但在碳化硅和氮化镓射频器件方面还比较弱一点，还需要我们进一步的鼓励，我们还处在起步阶段，未来还有很多的路要走。如何把大家的力量集中起来做一些共同关键技术攻关，是国家应重点考虑的一个事情。同时他强调：“当产业都很热的时候大家 不要一哄而上，现在基础比较弱，人才就会紧缺，不能到处有几条枪就拉一些投资就搞一个化合物半导体材料公司，这样以来不仅是人才的浪费也会造成资金的浪费。”
吴玲理事长表示，对LED企业来讲实际上又到了一个新的发展阶段，面临的挑战也更大。光电子和微电子携手发展会出现一些颠覆性的创新。她建议宁波要紧跟产业发展及市场需求，坚持做特色，做强链条。
徐禄平主任表示：“目前第三代半导体产业再往前走目前是无法照着做，俗话说前路如同无人区，想要不断开拓创新，只有接着前人去往下继续谱写。”
王川总工程师在介绍宁波产业基础时表示，宁波半导体产业起步较早，在半导体照明领域也取得了较大的发展。当前宁波将半导体产业列为产业转型发展重要突破口之一，也涌现出一批第三代半导体新兴企业。科技局将做好“穿针引线”工作，在“十大产业链”其中一项也是半导体产业，将不断鼓励企业科技创新，帮助企业人才集聚，进一步做好产业服务，切实帮助企业解决实际困难。
会上，在领导嘉宾的现场见证下，中电化合物、锦浪科技、芯健半导体分别与宁波新能源车企，锴威特以及浙江大学、海特创签署合作协议。
本次三个项目的签约，对于宁波来说，意义深远。以中电化合物为例，作为浙江省＊＊第三代半导体项目，中电化合物6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片已进入客户认证阶段。目前中电化合物的年产能已达2万片。下一步，该企业将加快与宁波微波射频领域以及逆变器领域企业的合作，力争在3年内实现年产能8万片、年销售收入6亿元的目标。芯健半导体将进一步加强与浙江大学以及海特创的联动，三方将在第三代半导体封测领域开展深入合作。锦浪与锴威特将在高端光伏组串式变电器及核心器件的研发、生产及销售上开展合作。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山作《国际第三代半导体产业发展格局及思考》主题报告。他指出，第三代半导体材料主要应用于功率器件和频率器件，目前以碳化硅、氮化镓为代表，两者可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。其中，新能源汽车是第三代半导体＊主要的应用领域之一。根据预测，新能源汽车车载碳化硅功率半导体市场年复合增长率将保持在38%，到2025年超过15亿元。而受益于5G宏基站和毫米波小基站以及快充市场的快速崛起，氮化镓器件受到市场热捧，预计2020至2025年间氮化镓器件的市场增长率将超过35%。
“在当前国际形势下，中国第三代半导体供应链正在加速本土化。随着5G、新能源汽车、消费电子等行业的快速发展，碳化硅和氮化镓产业和相关企业将迎来＊＊的发展机遇。”于坤山说，宁波是全国先进的制造业基地，制造业基础扎实。但由于传统制造业占比较重，宁波要实现制造业高质量发展，需要加快向第三代半导体等新兴产业挺进。
在主题论坛环节，江苏第三代半导体研究院刘宗亮博士作《第三代半导体创新生态》主题报告；宁波中电化合物半导体有限公司副总经理张昊翔作《碳化硅半导体材料与器件应用》主题报告；中国科学技术大学特聘研究员、博士生导师孙海定作《宽禁带半导体AIGaN基紫外光电器件研究进展》主题报告；上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司产品经理王琦作《车规级功率半导体技术进展与应用》主题报告；中科创星董事总经理卢小保作《风口之上，半导体产业投资机遇》主题报告。
